Hvordan man bruger ultralydsrenseren til at rense de monokrystallinske siliciumchips i halvlederindustrien?

Med udviklingen af ​​halvledermaterialeteknologi stilles der også højere krav til siliciumwafers specifikationer og kvalitet, og efterspørgslen efter siliciumwafers med stor diameter egnet til mikrobearbejdning vil i stigende grad stige på markedet. Halvledere, chips, integrerede kredsløb, design, layout, chips, fremstilling og processer er i øjeblikket meget udbredt over hele verden med avancerede skære-, slibe-, polerings- og rene emballeringsprocesser, hvilket gør betydelige fremskridt inden for filmproduktionsteknologi. Introduktionen af ​​den nyeste banebrydende teknologi har ført til, at prøveproduktion og udvikling af højtydende chips, såsom SOI, er gået ind i masseproduktionsstadiet. Som reaktion herpå har producenterne af siliciumwafere også øget deres investering i udstyr til 300 mm siliciumwafers med yderligere forfining af designreglerne. Ved at bruge ultralydsrensningsteknologi bliver ultralydsfrekvensen fejet frem og tilbage inden for et rimeligt område under rengøringsprocessen, hvilket driver rengøringsopløsningen til at danne en fin tilbagesvaling, som hurtigt fjerner snavs fra overfladen af ​​emnet, samtidig med at den pilles af med ultralyd. , hvorved rengøringseffektiviteten forbedres.

Ultralydsrensningsmetode og dens placeringsretning

Placer de vaskede og formalede siliciumwafers vandret på en hegnsformet kvartsstangramme over bunden af ​​rensetanken. For at sikre, at der er deioniseret vandhøjde og kontinuerlig strømning i rensetanken, skal du bruge en ultralydsoscillator placeret i bunden af ​​rensetanken til rengøring. Ultralydsfrekvensen er 40KHz. Vend de formalede siliciumwafers om hvert 5. minut, og fortsæt med at overvaske, indtil der ikke kommer sorte forurenende stoffer op på overfladen af ​​de vaskede siliciumwafers. Rensetankens væg til ultralydsrensning af enkeltkrystal siliciumwafers er udstyret med et indløb og udløb, og bunden af ​​tanken er udstyret med en ultralydsoscillator. Inde i rensetanken er der en ramme til placering af enkeltkrystal siliciumwafers. Rammens bundvæg er dannet af en hegnsformet kvartsstang, og flyet er lavere end niveauet af deioniseret vand. Hele rammen er understøttet af støttefødder i rensetanken.

Under den specifikke implementering er afstanden mellem kvartsstangen og bundvæggen af ​​rengøringstanken 15 centimeter. Under rengøring kan den monokrystallinske siliciumwafer placeres fladt på en kvartsstav, og erstatte den eksisterende vertikale superwashing med en flad superwashing, hvilket eliminerer fænomenet med resterende forurenende stoffer, der samler sig på overfladen af ​​siliciumwaferen i den vertikale supervasketilstand, hvilket resulterer i uren rengøring af lokalområder. Derudover kan den bløde blomsterkurv, der bærer siliciumwaferen, absorbere og blokere transmissionen af ​​ultralydsbølger, hvilket resulterer i uren rensning af lokale områder på overfladen af ​​siliciumwaferen. Det har fordelene ved enklere struktur og reduceret vandforbrug.